納米晶導(dǎo)磁片

MAGIELD?屏蔽片根據(jù)不同種類軟磁材料分為非晶屏蔽片和納米晶導(dǎo)磁片兩類。MAGIELD?屏蔽片是采用單層或多層高品質(zhì)的非晶帶材或納米晶帶材復(fù)合制備而成。MAGIELD?屏蔽片具有高磁導(dǎo)率、低損耗性能，可以有效降低磁場對周圍環(huán)境的電磁干擾,廣泛用于航空航天、汽車、通訊等電子設(shè)備的抗EMI、電磁屏和無線充電。

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技術(shù)資料

特點及優(yōu)勢
典型應(yīng)用
參數(shù)說明

特點及優(yōu)勢

與鐵氧體軟磁屏蔽材料相比，MAGIELD^?屏蔽片厚度薄，柔韌性好，易于加工，工作頻率范圍寬，適用于各種電子產(chǎn)品的磁屏蔽。在無線充電應(yīng)用中，由于MAGIELD^?屏蔽片磁導(dǎo)率任意可調(diào)，抗飽和電流性能好，適用于大功率無線充電。

典型應(yīng)用

屏蔽片主要用于各類電子產(chǎn)品的抗EMI，電磁屏，NFC及無線充電。

參數(shù)說明

編碼	產(chǎn)品描述	總厚度(μm)	合金厚度(μm)	膠粘劑厚度 (μm)	可用尺寸
					片^①	卷^②
					*LW(mmmm)*	寬度 (mm)	長度 (m)
MDWA045025	1 Layer Amorphous	45±4	25	5	√	?55/60/65	≤400
MDWA070050	2 Layer Amorphous	70±7	50	3	√	?55/60/65	≤200
MDWA100080	3 Layer Amorphous	100±10	80	3	√	?55/60/65	≤200
MDWA125105	4 Layer Amorphous	125±12	105	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA155135	5 Layer Amorphous	155±15	135	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA180160	6 Layer Amorphous	180±18	160	3	√	?55/60/65	≤100
MDWA210190	7 Layer Amorphous	210±20	190	3	√	?55/60/65	/
MDWA235215	8 Layer Amorphous	235±23	215	3	√	?55/60/65	/
MDWA265245	9 Layer Amorphous	265±26	245	3	√	?55/60/65	/
MDWA290270	10 Layer Amorphous	290±29	270	3	√	?55/60/65	/
MDWN040020	1 Layer Nanocrystalline	40±4	20	3	√	?55/60/65	≤400
MDWN060045	2 Layer Nanocrystalline	60±6	45	3	√	?55/60/65	≤200
MDWN090070	3 Layer Nanocrystalline	90±8	70	3	√	?55/60/65	≤200
MDWN110090	4 Layer Nanocrystalline	110±10	90	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN135120	5 Layer Nanocrystalline	135±13	120	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN160140	6 Layer Nanocrystalline	160±16	140	3	√	?55/60/65	≤100
MDWN185165	7 Layer Nanocrystalline	185±18	165	3	√	?55/60/65	/
MDWN210190	8 Layer Nanocrystalline	210±21	190	3	√	?55/60/65	/
MDWN235215	9 Layer Nanocrystalline	235±23	215	3	√	?55/60/65	/
MDWN260240	10 Layer Nanocrystalline	260±25	240	3	√	?55/60/65	/
Note: ①片：定制，取決于圖紙
????????? ②卷：其他尺寸可由客戶定制

納米晶導(dǎo)磁片

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